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제품 상세 정보:
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| 드레인-소스 전압: | 40 Ｖ | 게이트-소스 전압: | ±20V |
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| 최대 파워 분해: | 210W | 펄스용 드레인전류: | 720A |
| 고주파 회로: | 네 | 색상: | 흑백 |
| 하이 라이트: | 높은 현재 mosfet 운전사,pwm mosfet 운전사 |
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JY14M N 채널 강화 모드 BLDC 모터 드라이버에 대한 전력 MOSFET
일반 설명
JY14M은 높은 셀을 달성하기 위해 최신 트렌치 처리 기술을 활용
이 고 반복적인 돌풍 등급과 함께 온 저항을 줄입니다.
이 디자인이 매우 효율적이고 신뢰할 수있는 장치가 되도록
전력 전환 응용 프로그램 및 다양한 다른 응용 프로그램에서 사용됩니다.
특징
● 40V/200A, RDS ((ON)=2.5mΩ@VGS=10V
● 신속 한 전환 및 역체 회복
● 완전히 특징화 된 대산 전압 및 전류
● 열 을 잘 분산 시키기 위한 훌륭 한 패키지
응용 프로그램
● 애플리케이션 변경
● 하드 스위치 및 고 주파수 회로
● 인버터 시스템 의 전력 관리
절대 최대 등급 (Tc=25oC)
| 기호 | 매개 변수 | 한계 | 단위 | |
| VDS | 배수 소스 전압 | 40 | V | |
| VGS | 게이트 소스 전압 | ±20 | V | |
| 난D | 연속 하수 전류 |
Tc=25oC | 200 | A |
| Tc=100oC | 130 | |||
| 난DM | 펄스드레인 전류 | 720 | A | |
| PD | 최대 전력 분산 | 210 | W | |
| TJTSTG | 작동 접점 및 저장 온도 범위 |
-55에서 +175 | oC | |
| RθJC | 열 저항 - 케이스에 연결 | 0.65 | oC/W | |
| RθJA | 온도 저항-환경과의 연결 | 62 |
전기적 특성 (Ta=25oC 다른 표시가 없는 한)
| 기호 | 매개 변수 | 조건 | 분 | 유형 | 맥스 | 단위 |
| 정적 특성 | ||||||
| BVDSS | 배수 소스 분사 전압 |
VGS=0V,IDS=250uA | 40 | V | ||
| 난DSS | 제로 포트 전압 배수 전류 |
VDS=100V,VGS=0V | 1 | uA | ||
| 난GSS | 게이트 몸집 누출 전류 |
VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| VGS (th) | 게이트 임계 전압 |
VDS= VGS,난DS=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| RDS ((ON) | 배수 소스 상태상 저항 |
VGS=10V,IDS=60A | 2.5 | mΩ | ||
| gFS | 앞으로 반도체성 |
VDS=20V, IDS=60A | 100 | S |
전기적 특성 (Ta=25oC 다른 표시가 없는 한)
| 기호 | 매개 변수 | 조건 | 분 | 유형 | 맥스 | 단위 |
| 배수 소스 다이오드 특성 | ||||||
| VSD | 다이오드 앞 전압 |
VGS=0V,ISD=100A | 1.2 | V | ||
| Trr | 역회복 시간 | 난SD=100A di/dt=100A/us |
38 | ns | ||
| Qrr | 역환 수수료 | 58 | nC | |||
| 동적 특성 | ||||||
| RG | 게이트 저항 | VGS=0V,VDS=0V, f=1MHZ |
1.2 | 오 | ||
| Td ((on) | 켜기 지연 시간 | VDS=20V, RG=6Ω, 난DS=100A, VGS=10V, |
34 | ns | ||
| tr | 켜기 상승 시간 | 22 | ||||
| Td(off) | 끄는 지연 시간 | 48 | ||||
| Tf | 턴오프 추락 시간 | 60 | ||||
| CISS | 입력 용량 | VGS=0V, VDS=20V, f=1.0MHz |
5714 | pF | ||
| COSS | 출력 용량 | 1460 | ||||
| CRSS | 역전환 용량 |
600 | ||||
| Qg | 전체 게이트 요금 | VDS=30V,ID=100A, VGS=10V |
160 | nC | ||
| Qgs | 게이트 소스 요금 | 32 | ||||
| Qgd | 게이트-드레인 요금 | 58 |
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담당자: Ms. Lisa
전화 번호: +86-18538222869
