브랜드 이름: | JUYI |
Model Number: | JY12M |
MOQ: | 1 세트 |
가격: | 협상 가능 |
포장에 대한 세부 사항: | PE bag+ 판지 |
지불 조건: | T/T, L/C, Paypal |
JY12M N 및 P 채널 BLDC 모터 드라이버용 30V MOSFET
일반 설명
JY12M는 N 및 P 채널 논리 강화 모드 전력 필드 트랜지스터입니다
높은 세포 밀도 DMOS 트렌치 기술을 사용하여 생산됩니다.
이 장치들은 특히 상태 상에서의 저항을 최소화하도록 설계되었습니다.
특히 휴대 전화 및 노트북과 같은 저전압 애플리케이션에 적합합니다.
컴퓨터 전력 관리 및 다른 배터리 전동 회로
전환, 그리고 매우 작은 윤곽 표면에 낮은 직선 전력 손실이 필요합니다
장착 패키지
특징
장치 | RDS ((ON) MAX | 난DMAX(25oC) |
N 채널 | 20mΩ@VGS=10V | 8.5A |
32mΩ@VGS=4.5V | 7.0A | |
P 채널 | 45mΩ@VGS=-10V | -5.5A |
85mΩ@VGS=-4.5V | -4.1A |
● 낮은 입력 용량
● 빠른 전환 속도
응용 프로그램
● 전력 관리
● DC/DC 변환기
● DC 모터 제어
● LCD TV 및 모니터 디스플레이 인버터
● CCFL 인버터
절대 최대 등급 (Ta=25oC)
매개 변수 | 기호 | N 채널 | P 채널 | 단위 | |||
10초 | 안정적으로 | 10초 | 안정적으로 | ||||
배수 소스 전압 | VDSS | 30 | -30 | V | |||
게이트 소스 전압 | VDSS | ±20 | ±20 | ||||
연속 배수 전류 |
Ta=25 oC | 난D | 8.5 | 6.5 | -7번0 | - 5번3 | A |
Ta=70 oC | 6.8 | 5.1 | - 5번5 | - 4개1 | |||
펄스드레인 전류 | 난DM | 30 | -30 | ||||
최대 전력 분산 |
Ta=25 oC | PD | 1.5 | W | |||
Ta=70 oC | 0.95 | ||||||
운용 요충지 온도 |
TJ | -55~150 | oC | ||||
열 저항 앙비엔트로 연결 |
RθJA | 61 | 100 | 62 | 103 | oC/W | |
열 저항 부하에 연결 |
RθJC | 15 | 15 | oC/W |
전기적 특성 (Ta=25oC 다른 표시가 없는 한)
기호 | 매개 변수 | 조건 | 분 | 유형 | 맥스 | 단위 | |
정적 | |||||||
VGS (th) | 게이트 임계 전압 |
VDS=VGS난D=250uA | N-Ch | 1.0 | 1.5 | 3.0 | V |
VDS=VGS난D=-250uA | P-Ch | - 1개0 | - 1개5 | - 3번0 | |||
난GSS | 게이트 누출 전류 |
VDS=0V, VGS=±20V | N-Ch | ±100 | nA | ||
P-Ch | ±100 | ||||||
난DSS | 제로 포트 전압 배수 전류 |
VDS=30V, VGS=0V | N-Ch | 1 | uA | ||
VDS=-30V, VGS=0V | P-Ch | -1 | |||||
난D ((ON) | 상태상 배수 전류 |
VDS≥5V, VGS=10V | N-Ch | 20 | A | ||
VDS≤-5V, VGS=-10V | P-Ch | - 20 | |||||
RDS ((ON) | 배수 소스 상태상 저항력 |
VGS=10V,ID=7.4A | N-Ch | 15 | 20 | mΩ | |
VGS=-10V,ID=-5.2A | P-Ch | 38 | 45 | ||||
VGS=4.5V,ID=6.0A | N-Ch | 23 | 32 | ||||
VGS=-4.5V,ID=-4.0A | P-Ch | 65 | 85 | ||||
VSD | 다이오드 앞 전압 |
난S=1.7A,VGS=0V | N-Ch | 0.8 | 1.2 | V | |
난S=-1.7A,VGS=0V | P-Ch | -0.8 | - 1개2 |
JY12M 사용 설명서를 다운로드