제품 상세 정보:
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드레인-소스 전압: | 40 V | 게이트-소스 전압: | ±20V |
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최대 파워 분해: | 2w | 펄스용 드레인전류: | 30A |
빠른 전환 속도: | 네 | 형태: | 정사각형 |
강조하다: | 높은 현재 mosfet 운전사,pwm mosfet 운전사 |
JY13M N 및 P 채널 BLDC 모터 드라이버용 40V MOSFET
일반 설명
JY13M는 N 및 P 채널 논리 강화 모드 전력 필드 트랜지스터입니다
훌륭한 R를 제공할 수 있습니다.DS ((ON)그리고 낮은 게이트 충전.
MOSFET는 H-브릿지, 인버터 및 기타 응용 프로그램에서 사용할 수 있습니다.
특징
장치 | VBR(DSS) | RDS ((ON) MAXTJ=25oC | 패키지 |
N 채널 | 40V | < 30mΩ@VGS=10V,ID=12A | TO252-4L |
<40mΩ@VGS=4.5V,ID=8A | |||
P 채널 | -40V | <45mΩ@VGS=-10V,ID=-12A | |
<66mΩ@VGS=-4.5V,ID=-8A |
● 낮은 입력 용량
● 빠른 전환 속도
절대 최대 등급 (Ta=25oC)
매개 변수 | 기호 | N 채널 | P 채널 | 단위 | |
배수 소스 전압 | VDSS | 40 | -40 | V | |
게이트 소스 전압 | VDSS | ±20 | ±20 | ||
연속 배수 전류 |
Ta=25oC | 난D | 12 | -12 | A |
Ta=100oC | 12 | -12 | |||
펄스드레인 전류 | 난DM | 30 | -30 | ||
최대 전력 분산 |
Ta=25oC | PD | 2 | W | |
Ta=70oC | 1.3 | ||||
연결 및 저장 온도 범위 |
TJTSTG | -55~150 | oC | ||
열 저항 앙비엔트로 연결 |
RθJA | 10s | 25 | oC/W | |
안정적으로 | 60 | ||||
열 저항 부하에 연결 |
RθJC | 5.5 | 5 | oC/W |
전기적 특성 (Ta=25oC 다른 표시가 없는 한)
기호 | 매개 변수 | 조건 | 분 | 유형 | 맥스 | 단위 | |
정적 | |||||||
VGS (th) | 게이트 임계 전압 |
VDS=VGS난D=250uA | N-Ch | 1.7 | 2.5 | 3.0 | V |
VDS=VGS난D=-250uA | P-Ch | - 1개7 | -2 | - 3번0 | |||
난GSS | 게이트 누출 전류 |
VDS=0V, VGS=±20V | N-Ch | ±100 | nA | ||
P-Ch | ±100 | ||||||
난DSS | 제로 포트 전압 배수 전류 |
VDS=40V, VGS=0V | N-Ch | 1 | uA | ||
VDS=-40V, VGS=0V | P-Ch | -1 | |||||
난D ((ON) | 상태상 배수 전류 |
VDS=5V, VGS=10V | N-Ch | 30 | A | ||
VDS=-5V, VGS=-10V | P-Ch | -30 | |||||
RDS ((ON) | 배수 소스 상태상 저항력 |
VGS=10V,ID=12A | N-Ch | 24 | 30 | mΩ | |
VGS=-10V,ID=-12A | P-Ch | 36 | 45 | ||||
VGS=4.5V,ID=8A | N-Ch | 31 | 40 | ||||
VGS=-4.5V,ID=-8A | P-Ch | 51 | 66 | ||||
VSD | 다이오드 앞 전압 |
난S=1.0A,VGS=0V | N-Ch | 0.76 | 1.0 | V | |
난S=-1.0A,VGS=0V | P-Ch | -0.76 | - 1개0 |
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담당자: Ms. Lisa
전화 번호: +86-18538222869