|
| 브랜드 이름: | JUYI |
| 모델 번호: | JY21L |
| 모크: | 1 세트 |
| 가격: | 협상 가능 |
| 포장에 대한 세부 사항: | PE bag+ 판지 |
| 지불 조건: | T/T, L/C, Paypal |
JY21L P-SUB P-EPI 과정에 근거를 두는 가는곳마다 옆 운전사, 고전압, 고속 힘 MOSFET와 IGBT 운전사.
일반 묘사
제품은 위에 근거한 고전압의, 고속 힘 MOSFET와 IGBT 운전사입니다
P-SUB P-EPI 과정. 뜨 수로 운전사는 2 N 수로를 몰기 위하여 이용될 수 있습니다
150V까지 작동하는 IGBT 또는 MOSFET를 자주적으로 강화하십시오. 논리 입력은 입니다
, 아래로 3.3V 논리에 표준 CMOS 또는 LSTTL 산출과 호환이 되는. 산출
운전사는 최소한도 운전사 십자가를 위해 디자인된 높은 맥박 현재 완충기 단계를 특색짓습니다
유도. 전파 지연은 고주파에 있는 사용을 간단하게 하기 위하여 일치합니다
신청.
특징
양립한 ● 3.3V 논리
+150V에 완전하게 작동하는 ●
띄우기 가동을 위해 디자인되는 ● 뜨 수로
5.5V에서 20V에 ● 문 드라이브 공급 범위
●는 근원/수채 현재 기능 450mA/850mA를 출력했습니다
● 모든 지세학을 수용하는 독립적인 논리 입력
● -5V 네거티브 대 능력
두 수로 전부를 위한 ●에 의하여 일치되는 전파 지연
신청
● 힘 MOSFET 또는 IGBT 운전사
작은 ●와 매체 힘 모터 운전사
Pin 묘사
| 핀 번호 | Pin 이름 | Pin 기능 |
| 1 | VCC | 낮은 측 및 주전원 공급 |
| 2 | HIN | 출력되는 높은 옆 문 운전사를 위해 입력되는 논리 (HO) |
| 3 | 린 | 논리는 출력된 낮은 옆 문 운전사를 위해 입력했습니다 (LO) |
| 4 | COM | 배경 |
| 5 | LO | 린과 가진 단계에서 낮은 옆 문 드라이브 산출, |
| 6 | 대 | 높은 측 뜨 공급 반환 또는 띄우기 반환 |
| 7 | HO | HIN를 가진 단계에서 높은 옆 문 드라이브 산출, |
| 8 | VB | 높은 측 뜨 공급 |
절대 최대 등급
| 상징 | 정의 | 사소. | MAX. | 단위 |
| VB | 높은 측 뜨 공급 | -0.3 | 150 | V |
| 대 | 높은 측 뜨 공급 반환 | VB-20 | VB +0.3 | |
| VHO | 높은 옆 문 드라이브 산출 | VS-0.3 | VB +0.3 | |
| VCC | 낮은 측 및 주전원 공급 | -0.3 | 25 | |
| VLO | 낮은 옆 문 드라이브 산출 | -0.3 | VCC +0.3 | |
| VIN | HIN&LIN의 논리 입력 | -0.3 | VCC +0.3 | |
| ESD | HBM 모형 | 2500 | V | |
| 기계 모형 | 200 | V | ||
| PD | 포장 전력 흩어지기 @TA≤25ºC | — | 0.63 | W |
| RthJA | 주위에 내열성 접속점 | — | 200 | ºC/W |
| TJ | 접합 온도 | — | 150 | ºC |
| TS | 저장 온도 | -55 | 150 | |
| TL | 지도 온도 | — | 300 |
주: 이 등급을 초과하는 것은 장치에 손상을 입힐지도 모릅니다
다운로드 JY21L 사용자 설명서
비디오
